가전제품

삼성·SK하이닉스 HBM4 8단 공급 확대, 엔비디아가 12단 대신 선택지를 늘리는 이유

삼성

삼성·SK하이닉스 HBM4 8단 공급 확대, 엔비디아가 12단 대신 선택지를 늘리는 이유

AI 반도체 시장의 핵심 메모리인 HBM 공급 전략에 새로운 변화가 나타나고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스가 엔비디아에 공급하는 HBM4 가운데 8단 제품 비중을 확대할 것으로 알려지면서 그 배경에 관심이 커지고 있다.

그동안 차세대 AI 가속기용 HBM4 시장에서는 12단과 16단처럼 더 많은 D램을 쌓는 고적층 경쟁이 핵심으로 여겨졌다. 그러나 최근 엔비디아는 단순히 용량을 높이는 것보다 발열 관리와 수율, 공급 안정성까지 고려해 8단 HBM4의 비중을 늘리는 방향으로 공급망 전략을 조정하는 모습이다. 업계에서는 삼성전자와 SK하이닉스가 2026년 하반기 엔비디아향 HBM4 공급에서 8단 제품 비중을 점차 확대할 것으로 보고 있다.

이번 변화는 HBM 시장의 성장세가 꺾였다는 의미라기보다 차세대 AI 서버가 요구하는 성능과 전력 효율, 발열, 공급량을 동시에 맞추기 위한 최적화 과정으로 해석할 필요가 있다.

HBM4 8단과 12단은 무엇이 다를까?

HBM은 High Bandwidth Memory의 약자로 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 하나의 패키지로 만든 고대역폭 메모리다.

일반 D램보다 훨씬 넓은 데이터 통로를 사용하기 때문에 GPU가 대규모 AI 데이터를 빠르게 처리할 수 있도록 돕는다.

여기에서 8단, 12단, 16단이라는 표현은 기본적으로 몇 개의 D램을 수직으로 적층했는지를 의미한다.

예를 들면 삼성전자 HBM4 기준으로 다음과 같이 구분할 수 있다.

• HBM4 8단 : 24GB

• HBM4 12단 : 36GB

• HBM4 16단 : 최대 48GB

삼성전자는 HBM4 12단 제품을 24GB에서 36GB 용량으로 공급하고 있으며 향후 16단 적층을 통해 최대 48GB까지 확대할 계획이라고 밝힌 바 있다.

일반적으로 적층 수가 늘어나면 하나의 HBM 패키지에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다는 장점이 있다.

하지만 무조건 많이 쌓는 것이 좋은 것은 아니다.

적층 수가 증가할수록 제조 공정은 복잡해지고 발열과 수율 문제도 커질 수 있기 때문이다.

엔비디아가 HBM4 8단 비중을 늘리는 이유

엔비디아가 HBM4 12단만 고집하지 않고 8단 비중을 확대하려는 가장 큰 이유로는 발열과 공급 안정성이 꼽힌다.

AI 가속기는 GPU 자체에서도 막대한 열이 발생하지만 HBM에서도 상당한 열이 발생한다.

특히 HBM4부터 데이터 전송을 담당하는 I/O 핀 수가 기존 1,024개에서 2,048개로 두 배 늘어났다.

I/O 수가 많아지면 GPU와 메모리 사이에서 더 많은 데이터를 동시에 주고받을 수 있다. 하지만 전력 사용량과 열 발생도 함께 증가할 수 있다.

삼성전자도 HBM4 개발 과정에서 2,048개 I/O로 인해 발생하는 전력 소모와 열 집중을 해결하기 위해 저전력 설계와 전력 분배 네트워크 최적화 기술을 적용했다고 밝힌 바 있다.

따라서 엔비디아 입장에서는 가장 높은 용량의 HBM만 사용하는 것보다 GPU 구성에 따라 적절한 용량과 적층 구조를 선택하는 것이 전체 시스템 효율 측면에서 더 유리할 수 있다.

HBM4 8단이 발열 관리에 유리한 이유

HBM은 여러 장의 D램을 위로 쌓기 때문에 적층 수가 많을수록 열을 외부로 배출하는 과정이 어려워질 수 있다.

아래쪽에서 발생한 열이 위쪽 다이를 거쳐 외부로 전달돼야 하기 때문이다.

따라서 같은 기술 조건이라면 12단보다 8단이 상대적으로 열 관리에 유리할 가능성이 있다.

AI 서버에서는 HBM 하나만 보는 것이 아니라 전체 랙 단위의 발열을 관리해야 한다.

최근 엔비디아가 공개한 베라 루빈 NVL72 역시 액체냉각을 적용하고 있으며, 랙 단위에서 전력과 냉각을 함께 최적화하도록 설계됐다. 엔비디아는 베라 루빈 시스템이 동일한 전력 범위에서 더 많은 GPU를 운영할 수 있도록 전력 및 냉각 구조를 개선했다고 설명한다.

결국 HBM4 8단 확대는 단순히 메모리 한 개의 성능 문제가 아니라 AI 서버 전체의 전력과 열을 관리하기 위한 시스템 설계 전략과 연결돼 있다고 볼 수 있다.

12단보다 8단이면 성능이 떨어지는 것일까?

많은 투자자가 가장 궁금해할 부분이다.

HBM4 12단 대신 8단 공급이 늘어난다고 해서 반드시 AI 가속기의 성능이 낮아진다는 의미는 아니다.

HBM의 적층 수는 기본적으로 용량과 관련된 요소다.

반면 데이터 처리 성능에는 대역폭과 핀당 전송속도, 메모리 컨트롤러 설계 등 여러 요소가 함께 영향을 미친다.

삼성전자 HBM4는 2,048개의 I/O 핀을 적용하고 최대 13Gbps 속도, 최대 3.3TB/s의 대역폭을 제공한다. 삼성전자는 이전 세대 대비 최대 2.7배 높은 처리 성능과 약 40% 개선된 전력 효율을 구현했다고 설명한다.

즉 HBM4 8단을 사용한다고 해서 HBM4 세대 자체의 핵심 인터페이스 성능이 사라지는 것은 아니다.

AI 가속기의 사용 목적에 따라 더 많은 메모리 용량이 필요한 시스템에는 12단이나 16단이 사용될 수 있고, 발열과 공급 효율이 더 중요한 시스템에는 8단 제품을 사용할 수 있다.

엔비디아가 HBM 공급 옵션을 다양화하려는 이유

엔비디아는 전 세계 AI 가속기 시장에서 매우 높은 영향력을 가지고 있다.

따라서 HBM 공급이 부족하면 GPU 생산량 자체가 제한될 수 있다.

최근 글로벌 빅테크들이 AI 데이터센터에 막대한 투자를 진행하면서 HBM 수요도 빠르게 증가하고 있다.

문제는 HBM이 일반 D램보다 제조가 훨씬 어렵다는 점이다.

HBM 생산 과정에서는 크게 다음과 같은 공정이 필요하다.

  1. 고성능 D램 생산
  2. D램 웨이퍼 가공
  3. TSV 형성
  4. 여러 개의 D램 적층
  5. 본딩 및 패키징
  6. 베이스 다이 결합
  7. 최종 테스트

적층 수가 증가하면 이 과정에서 하나의 불량이 전체 패키지 수율에 영향을 미칠 가능성도 커진다.

따라서 엔비디아 입장에서는 12단 HBM4만 사용할 경우 공급망 유연성이 떨어질 수 있다.

8단과 12단을 함께 사용하면 AI 가속기별 필요한 메모리 용량을 다양하게 설계하면서 공급량도 안정적으로 확보할 수 있다.

HBM4 8단 확대는 수율에도 도움이 될 수 있다

HBM 시장에서는 수율이 수익성을 결정하는 핵심 요소다.

예를 들어 각각 정상적인 D램을 생산했다 하더라도 여러 개를 적층하고 패키징하는 과정에서 문제가 발생하면 완제품을 사용할 수 없게 된다.

8개의 D램을 쌓는 것보다 12개를 쌓는 과정이 기술적으로 더 복잡할 수밖에 없다.

따라서 8단 HBM4 비중이 높아지면 메모리 제조사 입장에서는 제품 수율과 생산량을 안정화하는 데 도움이 될 가능성이 있다.

특히 AI 반도체 시장에서 HBM 공급 부족이 계속되는 상황에서는 최고 용량 제품만 생산하는 것보다 다양한 제품을 공급하는 전략이 전체 HBM 공급량을 늘리는 데 유리할 수 있다.

이 때문에 이번 변화는 HBM 수요 감소가 아니라 공급망 효율화에 가까운 움직임으로 평가되고 있다.

삼성전자 HBM4 경쟁력은 어떻게 달라질까?

삼성전자는 2026년 HBM4 양산 출하를 본격화하면서 AI 메모리 시장 경쟁력 회복을 추진하고 있다.

삼성전자 HBM4에는 1c 나노급 D램과 4나노 로직 베이스 다이가 적용됐다.

공식 제품 기준으로는 다음과 같은 성능을 제공한다.

• 최대 속도 13Gbps

• 최대 대역폭 3.3TB/s

• 2,048개 I/O

• 최대 40% 개선된 전력 효율

• 12단 기준 최대 36GB 용량

삼성전자는 HBM4에서 열 저항 특성을 약 10% 개선하고 방열 특성을 약 30% 높였다고 밝히고 있다.

따라서 엔비디아가 발열과 전력 효율을 중요하게 보는 상황에서는 단순 용량뿐 아니라 실제 전력 효율과 방열 성능이 고객사 선택의 중요한 기준이 될 가능성이 있다.

SK하이닉스도 HBM4에서 공급 전략을 다양화한다

SK하이닉스는 HBM 시장에서 가장 먼저 대규모 공급망을 확보한 기업 가운데 하나다.

SK하이닉스는 이미 HBM4 12단을 개발해 주요 고객사와 협력해왔으며 HBM4 이후 HBM4E 개발도 빠르게 진행하고 있다.

2026년 6월에는 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다.

SK하이닉스가 공개한 HBM4E 12단은 핀당 최대 16Gbps 속도를 지원하며 이전 세대보다 전력 효율을 20% 이상 개선했다. Advanced MR-MUF 기술을 적용해 열 저항도 약 17% 개선했다.

즉 SK하이닉스 역시 고적층 제품 개발을 중단하는 것이 아니라 8단과 12단, 향후 16단까지 다양한 제품군을 동시에 준비하는 방향으로 볼 수 있다.

HBM4E에서도 8단이 주력으로 부상할 가능성

이번 변화가 더욱 관심을 끄는 이유는 HBM4에 그치지 않을 가능성이 있기 때문이다.

업계에서는 HBM4의 차세대 버전인 HBM4E에서도 8단 제품의 공급 비중이 높아질 가능성을 거론하고 있다.

다만 HBM4E의 최종 구성은 아직 확정됐다고 보기 어렵다.

실제로 SK하이닉스는 2026년 6월 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했고 양산을 준비하고 있다.

따라서 현재 상황은 HBM4E 12단 개발이 중단됐다는 의미가 아니다.

8단과 12단 등 여러 적층 옵션 가운데 엔비디아가 실제 제품별로 어떤 조합을 선택할지 논의가 진행되고 있다고 이해하는 것이 더 정확하다.

엔비디아 루빈과 루빈 울트라가 HBM 시장을 좌우한다

향후 HBM4와 HBM4E 시장에서 가장 중요한 변수는 엔비디아의 루빈 계열 AI 가속기다.

엔비디아 베라 루빈 플랫폼은 차세대 AI 학습과 추론을 겨냥한 시스템으로 Rubin GPU에는 288GB HBM4 메모리와 최대 22TB/s의 메모리 대역폭이 적용된다.

차세대 시스템으로 갈수록 AI 모델의 크기와 추론량이 증가하기 때문에 HBM 수요도 계속 증가할 가능성이 높다.

따라서 엔비디아가 HBM4 8단 비중을 늘린다고 해서 HBM 전체 사용량이 반드시 감소한다고 보기는 어렵다.

오히려 GPU 출하량이 증가하고 하나의 AI 시스템에 들어가는 GPU 수가 늘어나면 전체 HBM 수요는 계속 증가할 수 있다.

HBM 적층 경쟁이 무조건 높은 숫자를 향하지 않는 이유

HBM 시장에서는 한동안 8단에서 12단, 16단으로 더 많이 적층하는 것이 기술 발전 방향으로 여겨졌다.

하지만 실제 AI 시스템에서는 가장 높은 적층 수가 항상 최선의 선택은 아닐 수 있다.

HBM 설계에서는 다음 요소를 동시에 고려해야 한다.

• 메모리 용량

• 데이터 대역폭

• 전력 소비

• 발열

• 패키지 두께

• 생산 수율

• 원가

• 공급 가능 물량

이 중 하나만 극대화하면 다른 요소에서 문제가 생길 수 있다.

예를 들어 16단을 사용하면 용량은 늘어나지만 제조 난이도와 발열 부담이 증가할 수 있다.

반대로 8단은 용량은 상대적으로 작지만 수율과 열 관리에서 유리할 수 있다.

결국 앞으로의 HBM 경쟁은 누가 가장 많이 쌓느냐보다 고객사가 원하는 조합을 얼마나 빠르고 안정적으로 제공할 수 있느냐가 중요해질 가능성이 높다.

HBM4 발열 문제가 액체냉각 시장과도 연결된다

HBM4의 발열 문제는 메모리 기업에만 영향을 미치는 것은 아니다.

AI 서버의 GPU와 HBM에서 발생하는 열이 증가하면서 데이터센터 냉각 기술도 함께 변화하고 있다.

특히 엔비디아 베라 루빈 NVL72 같은 차세대 AI 시스템은 액체냉각을 기본적으로 적용한다.

GPU와 HBM에서 발생하는 열이 증가하면 기존 공랭 방식만으로 서버를 냉각하는 데 한계가 있기 때문이다.

따라서 HBM4 시장 확대는 다음 산업과도 연결될 가능성이 있다.

• AI 데이터센터

• 액체냉각

• CDU

• 서버 냉각장비

• 전력 인프라

• 데이터센터용 냉동기

• 고효율 전력 시스템

결국 AI 반도체 산업은 GPU와 HBM뿐 아니라 전력과 냉각 인프라까지 하나의 거대한 생태계로 확대되고 있다.

HBM4 8단 확대가 반도체 소재·장비 업체에도 영향을 줄까?

HBM 적층 구조가 바뀌면 관련 소재와 장비 발주에도 변화가 생길 수 있다.

HBM 생산에는 TSV와 본딩, 패키징, 테스트 등 다양한 후공정 기술이 필요하다.

따라서 삼성전자와 SK하이닉스가 8단 생산 비중을 확대하면 공급되는 소재와 부품의 종류 및 물량 구성에도 영향을 줄 가능성이 있다.

다만 이것을 단순히 후공정 수요 감소로 해석하기는 어렵다.

8단 제품의 생산량 자체가 크게 증가한다면 전체 패키징 물량은 오히려 확대될 수도 있기 때문이다.

투자자 입장에서는 적층 수 변화보다 전체 HBM 출하량과 웨이퍼 투입량, 고객사 주문 규모를 함께 살펴보는 것이 중요하다.

삼성전자와 SK하이닉스 HBM 경쟁에서 중요한 변화

이번 엔비디아 공급 전략 변화는 삼성전자와 SK하이닉스의 경쟁 방식에도 영향을 미칠 수 있다.

과거에는 최고 속도와 최대 적층 수가 주목받았다면 앞으로는 다음과 같은 요소가 더욱 중요해질 전망이다.

  1. HBM4 수율
  2. 고객사 인증 속도
  3. 공급 가능한 물량
  4. 전력 효율
  5. 발열 관리
  6. 패키징 기술
  7. 고객 맞춤형 제품 공급능력

결국 엔비디아가 요구하는 제품을 원하는 시기에 충분한 물량으로 공급할 수 있는지가 가장 중요한 경쟁력이 된다.

SK하이닉스가 기존 HBM 시장 선도 지위를 유지할지, 삼성전자가 HBM4를 계기로 공급 비중을 확대할지도 이러한 요소에서 결정될 가능성이 크다.

HBM4E 12단과 16단 개발은 계속된다

8단 공급 확대 소식 때문에 HBM 고적층 기술이 필요 없어졌다고 생각하기 쉽지만 실제로는 그렇지 않다.

SK하이닉스는 이미 HBM4 16단 48GB 제품을 공개했으며 고객 일정에 맞춰 개발을 진행하고 있다.

삼성전자 역시 HBM4 16단을 통해 최대 48GB 제품까지 확장할 계획이다.

즉 메모리 기업들은 8단으로 회귀하는 것이 아니라 8단부터 12단, 16단까지 다양한 제품 포트폴리오를 동시에 확대하는 단계에 들어간 것으로 볼 수 있다.

AI 서버의 용도에 따라 필요한 HBM 용량과 발열 조건이 다르기 때문이다.

투자자가 HBM4 8단 이슈에서 확인해야 할 포인트

삼성전자와 SK하이닉스의 HBM4 8단 공급 확대를 투자 관점에서 볼 때는 단순한 적층 수 변화보다 실제 수요를 확인해야 한다.

앞으로 살펴볼 핵심 지표는 다음과 같다.

  1. 엔비디아의 HBM4 8단과 12단 실제 주문 비중
  2. 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM4 출하량
  3. HBM4 생산 수율
  4. 엔비디아 루빈 출하량
  5. HBM 평균판매가격 변화
  6. HBM4E 양산 시점
  7. 마이크론을 포함한 공급사별 점유율
  8. AI 데이터센터 투자 증가율

특히 가장 중요한 것은 적층 수 자체보다 HBM 전체 물량이다.

8단 제품 비중이 증가하더라도 전체 HBM 출하량이 크게 늘어난다면 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM 매출 성장에는 긍정적으로 작용할 수 있다.

HBM 시장이 용량 경쟁에서 시스템 최적화 경쟁으로 이동한다

이번 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM4 8단 공급 확대는 AI 메모리 시장이 새로운 단계로 넘어가고 있다는 신호로 볼 수 있다.

초기 HBM 시장에서는 높은 대역폭과 더 많은 적층이 핵심 경쟁 요소였다.

하지만 AI 데이터센터 규모가 커지면서 이제는 성능만큼 전력과 발열, 수율과 공급 안정성이 중요해졌다.

엔비디아가 HBM4 12단과 함께 8단 선택지를 확대하는 것도 이러한 변화와 연결된다. 업계에서는 엔비디아가 발열과 공급망을 고려해 2026년 하반기 HBM4 8단 수요를 늘리고 있으며 HBM4E에서도 여러 적층 옵션을 검토하고 있는 것으로 보고 있다.

따라서 이번 움직임을 HBM 성능 후퇴나 수요 감소로 단순 해석하기보다는 AI 가속기와 데이터센터 전체의 효율을 높이기 위한 제품 구성 변화로 보는 것이 적절하다.

삼성전자와 SK하이닉스에게도 중요한 것은 8단이냐 12단이냐의 선택 자체가 아니다.

엔비디아와 글로벌 빅테크가 원하는 다양한 HBM을 높은 수율과 안정적인 공급량으로 얼마나 빠르게 제공할 수 있느냐가 향후 시장 점유율을 결정할 가능성이 높다.

AI 반도체 경쟁이 GPU의 연산 성능을 넘어 메모리, 전력, 냉각, 패키징까지 확대되고 있는 만큼 HBM4 8단 공급 확대는 앞으로 엔비디아 공급망과 삼성전자·SK하이닉스의 AI 메모리 전략을 판단하는 중요한 변화로 지켜볼 필요가 있다.AI 반도체 시장의 핵심 메모리인 HBM 공급 전략에 새로운 변화가 나타나고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스가 엔비디아에 공급하는 HBM4 가운데 8단 제품 비중을 확대할 것으로 알려지면서 그 배경에 관심이 커지고 있다.

그동안 차세대 AI 가속기용 HBM4 시장에서는 12단과 16단처럼 더 많은 D램을 쌓는 고적층 경쟁이 핵심으로 여겨졌다. 그러나 최근 엔비디아는 단순히 용량을 높이는 것보다 발열 관리와 수율, 공급 안정성까지 고려해 8단 HBM4의 비중을 늘리는 방향으로 공급망 전략을 조정하는 모습이다. 업계에서는 삼성전자와 SK하이닉스가 2026년 하반기 엔비디아향 HBM4 공급에서 8단 제품 비중을 점차 확대할 것으로 보고 있다.

이번 변화는 HBM 시장의 성장세가 꺾였다는 의미라기보다 차세대 AI 서버가 요구하는 성능과 전력 효율, 발열, 공급량을 동시에 맞추기 위한 최적화 과정으로 해석할 필요가 있다.

HBM4 8단과 12단은 무엇이 다를까?

HBM은 High Bandwidth Memory의 약자로 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 하나의 패키지로 만든 고대역폭 메모리다.

일반 D램보다 훨씬 넓은 데이터 통로를 사용하기 때문에 GPU가 대규모 AI 데이터를 빠르게 처리할 수 있도록 돕는다.

여기에서 8단, 12단, 16단이라는 표현은 기본적으로 몇 개의 D램을 수직으로 적층했는지를 의미한다.

예를 들면 삼성전자 HBM4 기준으로 다음과 같이 구분할 수 있다.

• HBM4 8단 : 24GB

• HBM4 12단 : 36GB

• HBM4 16단 : 최대 48GB

삼성전자는 HBM4 12단 제품을 24GB에서 36GB 용량으로 공급하고 있으며 향후 16단 적층을 통해 최대 48GB까지 확대할 계획이라고 밝힌 바 있다.

일반적으로 적층 수가 늘어나면 하나의 HBM 패키지에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다는 장점이 있다.

하지만 무조건 많이 쌓는 것이 좋은 것은 아니다.

적층 수가 증가할수록 제조 공정은 복잡해지고 발열과 수율 문제도 커질 수 있기 때문이다.

엔비디아가 HBM4 8단 비중을 늘리는 이유

엔비디아가 HBM4 12단만 고집하지 않고 8단 비중을 확대하려는 가장 큰 이유로는 발열과 공급 안정성이 꼽힌다.

AI 가속기는 GPU 자체에서도 막대한 열이 발생하지만 HBM에서도 상당한 열이 발생한다.

특히 HBM4부터 데이터 전송을 담당하는 I/O 핀 수가 기존 1,024개에서 2,048개로 두 배 늘어났다.

I/O 수가 많아지면 GPU와 메모리 사이에서 더 많은 데이터를 동시에 주고받을 수 있다. 하지만 전력 사용량과 열 발생도 함께 증가할 수 있다.

삼성전자도 HBM4 개발 과정에서 2,048개 I/O로 인해 발생하는 전력 소모와 열 집중을 해결하기 위해 저전력 설계와 전력 분배 네트워크 최적화 기술을 적용했다고 밝힌 바 있다.

따라서 엔비디아 입장에서는 가장 높은 용량의 HBM만 사용하는 것보다 GPU 구성에 따라 적절한 용량과 적층 구조를 선택하는 것이 전체 시스템 효율 측면에서 더 유리할 수 있다.

HBM4 8단이 발열 관리에 유리한 이유

HBM은 여러 장의 D램을 위로 쌓기 때문에 적층 수가 많을수록 열을 외부로 배출하는 과정이 어려워질 수 있다.

아래쪽에서 발생한 열이 위쪽 다이를 거쳐 외부로 전달돼야 하기 때문이다.

따라서 같은 기술 조건이라면 12단보다 8단이 상대적으로 열 관리에 유리할 가능성이 있다.

AI 서버에서는 HBM 하나만 보는 것이 아니라 전체 랙 단위의 발열을 관리해야 한다.

최근 엔비디아가 공개한 베라 루빈 NVL72 역시 액체냉각을 적용하고 있으며, 랙 단위에서 전력과 냉각을 함께 최적화하도록 설계됐다. 엔비디아는 베라 루빈 시스템이 동일한 전력 범위에서 더 많은 GPU를 운영할 수 있도록 전력 및 냉각 구조를 개선했다고 설명한다.

결국 HBM4 8단 확대는 단순히 메모리 한 개의 성능 문제가 아니라 AI 서버 전체의 전력과 열을 관리하기 위한 시스템 설계 전략과 연결돼 있다고 볼 수 있다.

12단보다 8단이면 성능이 떨어지는 것일까?

많은 투자자가 가장 궁금해할 부분이다.

HBM4 12단 대신 8단 공급이 늘어난다고 해서 반드시 AI 가속기의 성능이 낮아진다는 의미는 아니다.

HBM의 적층 수는 기본적으로 용량과 관련된 요소다.

반면 데이터 처리 성능에는 대역폭과 핀당 전송속도, 메모리 컨트롤러 설계 등 여러 요소가 함께 영향을 미친다.

삼성전자 HBM4는 2,048개의 I/O 핀을 적용하고 최대 13Gbps 속도, 최대 3.3TB/s의 대역폭을 제공한다. 삼성전자는 이전 세대 대비 최대 2.7배 높은 처리 성능과 약 40% 개선된 전력 효율을 구현했다고 설명한다.

즉 HBM4 8단을 사용한다고 해서 HBM4 세대 자체의 핵심 인터페이스 성능이 사라지는 것은 아니다.

AI 가속기의 사용 목적에 따라 더 많은 메모리 용량이 필요한 시스템에는 12단이나 16단이 사용될 수 있고, 발열과 공급 효율이 더 중요한 시스템에는 8단 제품을 사용할 수 있다.

엔비디아가 HBM 공급 옵션을 다양화하려는 이유

엔비디아는 전 세계 AI 가속기 시장에서 매우 높은 영향력을 가지고 있다.

따라서 HBM 공급이 부족하면 GPU 생산량 자체가 제한될 수 있다.

최근 글로벌 빅테크들이 AI 데이터센터에 막대한 투자를 진행하면서 HBM 수요도 빠르게 증가하고 있다.

문제는 HBM이 일반 D램보다 제조가 훨씬 어렵다는 점이다.

HBM 생산 과정에서는 크게 다음과 같은 공정이 필요하다.

  1. 고성능 D램 생산
  2. D램 웨이퍼 가공
  3. TSV 형성
  4. 여러 개의 D램 적층
  5. 본딩 및 패키징
  6. 베이스 다이 결합
  7. 최종 테스트

적층 수가 증가하면 이 과정에서 하나의 불량이 전체 패키지 수율에 영향을 미칠 가능성도 커진다.

따라서 엔비디아 입장에서는 12단 HBM4만 사용할 경우 공급망 유연성이 떨어질 수 있다.

8단과 12단을 함께 사용하면 AI 가속기별 필요한 메모리 용량을 다양하게 설계하면서 공급량도 안정적으로 확보할 수 있다.

HBM4 8단 확대는 수율에도 도움이 될 수 있다

HBM 시장에서는 수율이 수익성을 결정하는 핵심 요소다.

예를 들어 각각 정상적인 D램을 생산했다 하더라도 여러 개를 적층하고 패키징하는 과정에서 문제가 발생하면 완제품을 사용할 수 없게 된다.

8개의 D램을 쌓는 것보다 12개를 쌓는 과정이 기술적으로 더 복잡할 수밖에 없다.

따라서 8단 HBM4 비중이 높아지면 메모리 제조사 입장에서는 제품 수율과 생산량을 안정화하는 데 도움이 될 가능성이 있다.

특히 AI 반도체 시장에서 HBM 공급 부족이 계속되는 상황에서는 최고 용량 제품만 생산하는 것보다 다양한 제품을 공급하는 전략이 전체 HBM 공급량을 늘리는 데 유리할 수 있다.

이 때문에 이번 변화는 HBM 수요 감소가 아니라 공급망 효율화에 가까운 움직임으로 평가되고 있다.

삼성전자 HBM4 경쟁력은 어떻게 달라질까?

삼성전자는 2026년 HBM4 양산 출하를 본격화하면서 AI 메모리 시장 경쟁력 회복을 추진하고 있다.

삼성전자 HBM4에는 1c 나노급 D램과 4나노 로직 베이스 다이가 적용됐다.

공식 제품 기준으로는 다음과 같은 성능을 제공한다.

• 최대 속도 13Gbps

• 최대 대역폭 3.3TB/s

• 2,048개 I/O

• 최대 40% 개선된 전력 효율

• 12단 기준 최대 36GB 용량

삼성전자는 HBM4에서 열 저항 특성을 약 10% 개선하고 방열 특성을 약 30% 높였다고 밝히고 있다.

따라서 엔비디아가 발열과 전력 효율을 중요하게 보는 상황에서는 단순 용량뿐 아니라 실제 전력 효율과 방열 성능이 고객사 선택의 중요한 기준이 될 가능성이 있다.

SK하이닉스도 HBM4에서 공급 전략을 다양화한다

SK하이닉스는 HBM 시장에서 가장 먼저 대규모 공급망을 확보한 기업 가운데 하나다.

SK하이닉스는 이미 HBM4 12단을 개발해 주요 고객사와 협력해왔으며 HBM4 이후 HBM4E 개발도 빠르게 진행하고 있다.

2026년 6월에는 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다.

SK하이닉스가 공개한 HBM4E 12단은 핀당 최대 16Gbps 속도를 지원하며 이전 세대보다 전력 효율을 20% 이상 개선했다. Advanced MR-MUF 기술을 적용해 열 저항도 약 17% 개선했다.

즉 SK하이닉스 역시 고적층 제품 개발을 중단하는 것이 아니라 8단과 12단, 향후 16단까지 다양한 제품군을 동시에 준비하는 방향으로 볼 수 있다.

HBM4E에서도 8단이 주력으로 부상할 가능성

이번 변화가 더욱 관심을 끄는 이유는 HBM4에 그치지 않을 가능성이 있기 때문이다.

업계에서는 HBM4의 차세대 버전인 HBM4E에서도 8단 제품의 공급 비중이 높아질 가능성을 거론하고 있다.

다만 HBM4E의 최종 구성은 아직 확정됐다고 보기 어렵다.

실제로 SK하이닉스는 2026년 6월 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했고 양산을 준비하고 있다.

따라서 현재 상황은 HBM4E 12단 개발이 중단됐다는 의미가 아니다.

8단과 12단 등 여러 적층 옵션 가운데 엔비디아가 실제 제품별로 어떤 조합을 선택할지 논의가 진행되고 있다고 이해하는 것이 더 정확하다.

엔비디아 루빈과 루빈 울트라가 HBM 시장을 좌우한다

향후 HBM4와 HBM4E 시장에서 가장 중요한 변수는 엔비디아의 루빈 계열 AI 가속기다.

엔비디아 베라 루빈 플랫폼은 차세대 AI 학습과 추론을 겨냥한 시스템으로 Rubin GPU에는 288GB HBM4 메모리와 최대 22TB/s의 메모리 대역폭이 적용된다.

차세대 시스템으로 갈수록 AI 모델의 크기와 추론량이 증가하기 때문에 HBM 수요도 계속 증가할 가능성이 높다.

따라서 엔비디아가 HBM4 8단 비중을 늘린다고 해서 HBM 전체 사용량이 반드시 감소한다고 보기는 어렵다.

오히려 GPU 출하량이 증가하고 하나의 AI 시스템에 들어가는 GPU 수가 늘어나면 전체 HBM 수요는 계속 증가할 수 있다.

HBM 적층 경쟁이 무조건 높은 숫자를 향하지 않는 이유

HBM 시장에서는 한동안 8단에서 12단, 16단으로 더 많이 적층하는 것이 기술 발전 방향으로 여겨졌다.

하지만 실제 AI 시스템에서는 가장 높은 적층 수가 항상 최선의 선택은 아닐 수 있다.

HBM 설계에서는 다음 요소를 동시에 고려해야 한다.

• 메모리 용량

• 데이터 대역폭

• 전력 소비

• 발열

• 패키지 두께

• 생산 수율

• 원가

• 공급 가능 물량

이 중 하나만 극대화하면 다른 요소에서 문제가 생길 수 있다.

예를 들어 16단을 사용하면 용량은 늘어나지만 제조 난이도와 발열 부담이 증가할 수 있다.

반대로 8단은 용량은 상대적으로 작지만 수율과 열 관리에서 유리할 수 있다.

결국 앞으로의 HBM 경쟁은 누가 가장 많이 쌓느냐보다 고객사가 원하는 조합을 얼마나 빠르고 안정적으로 제공할 수 있느냐가 중요해질 가능성이 높다.

HBM4 발열 문제가 액체냉각 시장과도 연결된다

HBM4의 발열 문제는 메모리 기업에만 영향을 미치는 것은 아니다.

AI 서버의 GPU와 HBM에서 발생하는 열이 증가하면서 데이터센터 냉각 기술도 함께 변화하고 있다.

특히 엔비디아 베라 루빈 NVL72 같은 차세대 AI 시스템은 액체냉각을 기본적으로 적용한다.

GPU와 HBM에서 발생하는 열이 증가하면 기존 공랭 방식만으로 서버를 냉각하는 데 한계가 있기 때문이다.

따라서 HBM4 시장 확대는 다음 산업과도 연결될 가능성이 있다.

• AI 데이터센터

• 액체냉각

• CDU

• 서버 냉각장비

• 전력 인프라

• 데이터센터용 냉동기

• 고효율 전력 시스템

결국 AI 반도체 산업은 GPU와 HBM뿐 아니라 전력과 냉각 인프라까지 하나의 거대한 생태계로 확대되고 있다.

HBM4 8단 확대가 반도체 소재·장비 업체에도 영향을 줄까?

HBM 적층 구조가 바뀌면 관련 소재와 장비 발주에도 변화가 생길 수 있다.

HBM 생산에는 TSV와 본딩, 패키징, 테스트 등 다양한 후공정 기술이 필요하다.

따라서 삼성전자와 SK하이닉스가 8단 생산 비중을 확대하면 공급되는 소재와 부품의 종류 및 물량 구성에도 영향을 줄 가능성이 있다.

다만 이것을 단순히 후공정 수요 감소로 해석하기는 어렵다.

8단 제품의 생산량 자체가 크게 증가한다면 전체 패키징 물량은 오히려 확대될 수도 있기 때문이다.

투자자 입장에서는 적층 수 변화보다 전체 HBM 출하량과 웨이퍼 투입량, 고객사 주문 규모를 함께 살펴보는 것이 중요하다.

삼성전자와 SK하이닉스 HBM 경쟁에서 중요한 변화

이번 엔비디아 공급 전략 변화는 삼성전자와 SK하이닉스의 경쟁 방식에도 영향을 미칠 수 있다.

과거에는 최고 속도와 최대 적층 수가 주목받았다면 앞으로는 다음과 같은 요소가 더욱 중요해질 전망이다.

  1. HBM4 수율
  2. 고객사 인증 속도
  3. 공급 가능한 물량
  4. 전력 효율
  5. 발열 관리
  6. 패키징 기술
  7. 고객 맞춤형 제품 공급능력

결국 엔비디아가 요구하는 제품을 원하는 시기에 충분한 물량으로 공급할 수 있는지가 가장 중요한 경쟁력이 된다.

SK하이닉스가 기존 HBM 시장 선도 지위를 유지할지, 삼성전자가 HBM4를 계기로 공급 비중을 확대할지도 이러한 요소에서 결정될 가능성이 크다.

HBM4E 12단과 16단 개발은 계속된다

8단 공급 확대 소식 때문에 HBM 고적층 기술이 필요 없어졌다고 생각하기 쉽지만 실제로는 그렇지 않다.

SK하이닉스는 이미 HBM4 16단 48GB 제품을 공개했으며 고객 일정에 맞춰 개발을 진행하고 있다.

삼성전자 역시 HBM4 16단을 통해 최대 48GB 제품까지 확장할 계획이다.

즉 메모리 기업들은 8단으로 회귀하는 것이 아니라 8단부터 12단, 16단까지 다양한 제품 포트폴리오를 동시에 확대하는 단계에 들어간 것으로 볼 수 있다.

AI 서버의 용도에 따라 필요한 HBM 용량과 발열 조건이 다르기 때문이다.

투자자가 HBM4 8단 이슈에서 확인해야 할 포인트

삼성전자와 SK하이닉스의 HBM4 8단 공급 확대를 투자 관점에서 볼 때는 단순한 적층 수 변화보다 실제 수요를 확인해야 한다.

앞으로 살펴볼 핵심 지표는 다음과 같다.

  1. 엔비디아의 HBM4 8단과 12단 실제 주문 비중
  2. 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM4 출하량
  3. HBM4 생산 수율
  4. 엔비디아 루빈 출하량
  5. HBM 평균판매가격 변화
  6. HBM4E 양산 시점
  7. 마이크론을 포함한 공급사별 점유율
  8. AI 데이터센터 투자 증가율

특히 가장 중요한 것은 적층 수 자체보다 HBM 전체 물량이다.

8단 제품 비중이 증가하더라도 전체 HBM 출하량이 크게 늘어난다면 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM 매출 성장에는 긍정적으로 작용할 수 있다.

HBM 시장이 용량 경쟁에서 시스템 최적화 경쟁으로 이동한다

이번 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM4 8단 공급 확대는 AI 메모리 시장이 새로운 단계로 넘어가고 있다는 신호로 볼 수 있다.

초기 HBM 시장에서는 높은 대역폭과 더 많은 적층이 핵심 경쟁 요소였다.

하지만 AI 데이터센터 규모가 커지면서 이제는 성능만큼 전력과 발열, 수율과 공급 안정성이 중요해졌다.

엔비디아가 HBM4 12단과 함께 8단 선택지를 확대하는 것도 이러한 변화와 연결된다. 업계에서는 엔비디아가 발열과 공급망을 고려해 2026년 하반기 HBM4 8단 수요를 늘리고 있으며 HBM4E에서도 여러 적층 옵션을 검토하고 있는 것으로 보고 있다.

따라서 이번 움직임을 HBM 성능 후퇴나 수요 감소로 단순 해석하기보다는 AI 가속기와 데이터센터 전체의 효율을 높이기 위한 제품 구성 변화로 보는 것이 적절하다.

삼성전자와 SK하이닉스에게도 중요한 것은 8단이냐 12단이냐의 선택 자체가 아니다.

엔비디아와 글로벌 빅테크가 원하는 다양한 HBM을 높은 수율과 안정적인 공급량으로 얼마나 빠르게 제공할 수 있느냐가 향후 시장 점유율을 결정할 가능성이 높다.

AI 반도체 경쟁이 GPU의 연산 성능을 넘어 메모리, 전력, 냉각, 패키징까지 확대되고 있는 만큼 HBM4 8단 공급 확대는 앞으로 엔비디아 공급망과 삼성전자·SK하이닉스의 AI 메모리 전략을 판단하는 중요한 변화로 지켜볼 필요가 있다.

error: Content is protected !!

광고 차단 알림

광고 클릭 제한을 초과하여 광고가 차단되었습니다.

단시간에 반복적인 광고 클릭은 시스템에 의해 감지되며, IP가 수집되어 사이트 관리자가 확인 가능합니다.